SK hynix는 라스베이거스에서 열리는 CES에서 인공지능(AI) 애플리케이션을 겨냥한 다양한 첨단 메모리 솔루션을 공개할 예정입니다. 이 회사는 이전 12층 버전을 기반으로 한 최신 16층 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory, HBM) 기술인 HBM3E를 …
2025-01-09 15:12 | 댓글: 0개CXL 컨소시엄은 2024년 FMS에서 CXL 3.0과 3.1 사양 발표에 이어 눈에 띄는 진전을 거두었습니다. CXL은 호스트-디바이스 간 상호 연결 표준에서 PCIe 확장 버스를 활용하는 다양한 사용 사례를 통합하는 포괄적인 프로토콜로 …
2024-08-19 12:00 | 댓글: 0개Solidigm은 SK hynix의 176L 3D TLC NAND를 사용하고 PCIe 5.0 인터페이스를 특징으로 하는 D7-PS1010 및 D7-PS1030이라는 두 개의 새로운 데이터센터 SSD를 출시했습니다. 이 모델들은 D7-P5x20 시리즈의 후속작으로, 다양한 성능 및 …
2024-08-06 15:00 | 댓글: 0개SK 하이닉스가 업계 최고 수준의 GDDR7 그래픽스 메모리를 선보였습니다. 이 신제품은 초당 32Gbps의 놀라운 동작 속도를 자랑하며, 현재의 GDDR6 대비 60% 빠른 성능을 제공합니다. 또한 전력 효율이 50% 향상되어, 차세대 …
2024-07-30 12:46 | 댓글: 0개전 세계에 약 27만 명의 직원을 두고 있는 삼성전자가 특정 부문에서 최대 30%의 인력 감축을 계획하고 있는 것으로 전해졌습니다. 이러한 감축의 주요 초점은 관리 부문에 맞춰져 있으며, 이는 중간 관리직이 …
2024-09-12 10:55 | 댓글: 0개SK 하이닉스가 E1.S 폼 팩터를 활용한 서버용 새로운 PCIe 5.0 SSD인 PEB110을 소개했습니다. 이 SSD는 V8 세대 TLC NAND를 히트 싱크 아래에 탑재하고 있으며, 인상적인 성능 지표를 제공합니다. 최고 모델인 …
2024-09-11 15:03 | 댓글: 0개한국 경찰이 32억 달러 가치의 상업 비밀을 중국에 유출한 혐의로 두 명의 전 삼성 임원을 체포했습니다. 용의자 중 한 명인 최 씨(66세)는 공장 설계자 오 씨의 도움을 받아 중국에서 20nm …
2024-09-10 16:24 | 댓글: 0개SK hynix가 9월 말까지 12층 HBM3E 메모리의 양산을 시작할 예정이며, 차세대 AI 시장을 겨냥하고 있습니다. 이 새로운 메모리 표준은 AI 가속기에서 중요한 구성 요소인 HBM이 AI 컴퓨팅 능력을 크게 향상시킬 …
2024-09-05 11:40 | 댓글: 0개SK hynix가 세계 최초의 6세대 10nm급 DDR5 DRAM인 '1c 공정'의 개발을 발표했습니다. 이 새로운 모듈은 10nm 리소그래피를 기반으로 하며, 회사의 첫 번째 16Gb DRAM 모듈입니다. 이전 세대에 비해 속도가 11% …
2024-08-29 18:00 | 댓글: 0개SK 하이닉스가 10-nm 클래스에서 이정표를 달성한 첫 번째 제조업체라고 주장하며 1c 세대 DDR5 DRAM 칩의 개발 완료를 발표했습니다. 16 기가비트(2 GB)의 용량을 가진 이 칩의 대량 생산은 올해 말 시작될 …
2024-08-29 16:57 | 댓글: 0개SK 하이닉스가 AI 분야, 특히 대규모 언어 모델(LLM)을 위한 DDR5 기반 CXL 2.0 메모리 솔루션을 개발할 예정입니다. CXL(Compute Express Link)은 CPU와 가속기 간의 데이터 전송 속도를 높여주는 고급 인터커넥트 기술로, …
2024-08-29 08:00 | 댓글: 0개SK hynix는 1c '6세대 10nm' 노드를 활용한 세계 최초의 16Gb DDR5 메모리 개발을 발표하며 메모리 공정 기술의 중요한 발전을 이뤘습니다. 이 새로운 노드는 HBM, LPDDR6, GDDR7을 포함한 다양한 메모리 제품의 …
2024-08-29 07:20 | 댓글: 0개SK Hynix는 Hot Chips 2024에서 AiMX-xPU와 LPDDR-AiM을 통해 인메모리 컴퓨팅의 발전을 선보이며, 대형 언어 모델(LLM) 추론을 목표로 하고 있습니다. 이 혁신적인 접근 방식은 메모리 내에서 직접 메모리 관련 변환이 이루어지도록 …
2024-08-26 19:25 | 댓글: 0개SK hynix가 10월에 HBM4 메모리를 테이프 아웃할 예정이며, 이는 NVIDIA의 차세대 루빈 AI 칩에 활용될 것입니다. HBM4는 이전 모델인 HBM3E에 비해 뛰어난 전력 효율성과 더 높은 대역폭을 제공하도록 설계되어, 고대역폭 …
2024-08-26 11:15 | 댓글: 0개Kioxia가 도쿄 증권거래소에 상장(IPO) 신청서를 제출했으며, 10월에 상장할 계획으로 예상 가치는 10억 달러를 초과합니다. 이 회사는 최소 5억 달러를 조달할 목표를 가지고 있으며, 현재 세계에서 세 번째로 큰 NAND 플래시 …
2024-08-23 14:22 | 댓글: 0개삼성전자가 올해 말 HBM4 메모리 장치의 첫 테이프 아웃을 준비하고 있으며, 샘플링은 2025년 초에 시작될 것으로 예상됩니다. 이 회사는 HBM4 DRAM 장치에 최신 10nm급 DRAM 제조 공정을, HBM4 기본 다이에 …
2024-08-22 19:39 | 댓글: 0개SK하이닉스가 현재 HBM(고대역폭 메모리) 제품 대비 20~30배 성능 향상을 가능하게 하는 새로운 HBM 표준 개발 계획을 발표했습니다. 이는 SK하이닉스 이천 포럼 2024에서 류성수 부사장이 밝힌 내용으로, 회사가 경쟁력 있는 HBM …
2024-08-21 08:00 | 댓글: 0개삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM4) 시장을 주도할 것으로 보인다. 삼성전자는 2024년 말까지 이 첨단 기술의 테이프아웃(설계 확정)을 마치고 2025년 말부터 양산에 돌입할 계획이다. HBM 산업이 AI 기술 발전에 힘입어 급성장하면서, 삼성전자의 …
2024-08-19 16:25 | 댓글: 0개CXL 컨소시엄은 2024년 FMS에서 CXL 3.0과 3.1 사양 발표에 이어 눈에 띄는 진전을 거두었습니다. CXL은 호스트-디바이스 간 상호 연결 표준에서 PCIe 확장 버스를 활용하는 다양한 사용 사례를 통합하는 포괄적인 프로토콜로 …
2024-08-19 12:00 | 댓글: 0개SK 하이닉스는 수직 채널 트랜지스터(VCT) 기술을 적용한 새로운 3D DRAM 기술을 통해 생산 비용을 절반으로 줄일 수 있다고 발표했습니다. 이는 주로 극자외선(EUV) 리소그래피 공정 도입에 힘입은 것으로 보입니다. 이러한 진보는 …
2024-08-16 17:44 | 댓글: 0개SK하이닉스는 자사의 차세대 3D DRAM 기술이 EUV(극자외선 리소그래피) 공정 비용을 절반 수준으로 낮출 수 있다고 발표했습니다. 이는 서재욱 연구원이 한 컨퍼런스에서 밝힌 내용으로, DRAM 제조업체들이 10나노급 6세대 DRAM(1c DRAM)으로 전환하면서 …
2024-08-16 06:44 | 댓글: 0개SK 하이닉스가 AI 시장의 수요 증가로 인해 고대역폭 메모리(HBM) 생산에 주력하면서, DDR5 DRAM 칩 가격을 15% ~ 20% 인상할 예정입니다. 이는 DRAM 산업이 이전의 매출 하락(저조한 소비자 수요와 높은 재고 …
2024-08-15 06:00 | 댓글: 0개미국 정부는 국내 반도체 공급망의 핵심 격차를 해소하기 위해 Amkor과 SK hynix와 약 150억 달러 규모의 CHIPS & Science Act 협약을 체결했습니다. Amkor은 애리조나 피오리아 인근에 20억 달러 규모의 첨단 …
2024-08-09 13:00 | 댓글: 0개Solidigm가 최근 출시한 D7-PS1010과 D7-PS1030 시리즈 SSD로 PCIe 5.0 기반의 최고 속도 SSD 타이틀을 놓고 Micron과 경쟁하고 있습니다. 이 SSD는 순차 읽기 속도 14.5GB/s와 랜덤 읽기 처리 속도 310만 IOPS를 …
2024-08-08 16:50 | 댓글: 0개