Imec은 ASML과 협력하여 ASML의 Twinscan EXE:5000 EUV 노광기를 이용해 논리 회로와 DRAM 패턴을 처음으로 성공적으로 인쇄하는 중요한 이정표를 달성했습니다. 이 EUV 노광 시스템은 업계 최초의 High-NA EUV 스캐너로, 단일 노광으로 …
2024-08-08 14:00 | 댓글: 0개임엑스는 ASML과 협력하여 0.55 수치구경(NA)을 지원하는 트윈스캔 EXE:5000 EUV 리소그래피 툴을 이용해 업계 최초로 로직 및 DRAM 구조물을 성공적으로 패턴화했습니다. 이는 마이크로일렉트로닉스 생산에 있어 중요한 이정표를 마련한 성과로, 고해상도 패터닝 …
2024-08-07 15:41 | 댓글: 0개TSMC는 N2 공정 기술이 개발 초기 단계에서 N3, N5, N7을 포함한 이전 세대보다 낮은 결함 밀도(D0)를 보인다고 밝혔습니다. 이 발표는 북미 기술 심포지엄에서 이루어졌으며, TSMC는 2025년 4분기 말까지 2nm급 칩의 …
2025-04-25 17:13 | 댓글: 0개TSMC는 A14(1.4nm급) 제조 기술을 발표하며, N2(2nm) 공정에 비해 성능, 전력 효율성 및 트랜지스터 밀도에서 상당한 향상을 약속했습니다. 새로운 노드는 2세대 게이트 올 어라운드(GAA) 나노시트 트랜지스터를 활용하며, 설계 유연성을 개선하기 위해 …
2025-04-23 19:12 | 댓글: 0개인텔은 새로운 18A 공정 기술을 기반으로 한 팬서 레이크(Panther Lake) 프로세서를 PC 제조업체들에게 샘플링하기 시작했습니다. 이 회사는 2025년 하반기에 이 CPU를 대량 생산할 계획이며, 이는 인텔의 AI PC 제품 포트폴리오 …
2025-01-06 19:12 | 댓글: 0개이 기사는 NVIDIA 그래픽 카드의 복잡한 작동 원리를 탐구하며, 빈닝, 텔레메트리 및 지속적 가상 빈닝(CVB) 개념에 중점을 둡니다. 빈닝은 성능 변동에 따라 GPU를 품질 등급 또는 '버킷'으로 분류하는 과정으로, 각 …
2024-12-29 06:00 | 댓글: 0개키옥시아가 IEEE 국제 전자 소자 회의(IEDM)에서 산화 반도체 채널 트랜지스터 DRAM(OCTRAM)이라는 새로운 메모리 기술의 발전을 발표했습니다. 이는 20년 이상 만에 키옥시아가 DRAM 시장에 복귀하는 것으로, 소규모 DRAM 제조업체인 난야와 협력하고 …
2024-12-12 17:41 | 댓글: 0개이 기사는 TSMC의 N2 공정이 인텔의 18A 제조 기술에 비해 SRAM 밀도에서 갖는 이점을 다룹니다. TSMC의 N2는 2nm급에서 작동하며, 약 0.0175 µm²의 고밀도 SRAM 비트 셀 크기를 자랑하여 38 Mb/mm²의 …
2024-12-04 13:17 | 댓글: 0개인텔이 아마존과 최신 18A 공정 노드를 사용하여 AI 칩을 개발하기 위한 수십억 달러 규모의 프레임워크 계약을 체결했습니다. 이번 파트너십은 인텔의 파운드리 서비스(Foundry Services) 이니셔티브의 일환으로, 회사의 칩 제조 능력을 재활성화하는 …
2024-09-16 23:28 | 댓글: 0개TSMC는 이달 말 대만 신주에 위치한 연구개발 센터에서 첫 번째 하이-NA EUV 리소그래피 장비인 ASML Twinscan EXE:5000의 설치를 시작할 예정입니다. 이 결정은 TSMC가 이미 하이-NA EUV 기계를 연구 및 개발에 …
2024-09-10 12:19 | 댓글: 0개Imec은 ASML과 협력하여 ASML의 Twinscan EXE:5000 EUV 노광기를 이용해 논리 회로와 DRAM 패턴을 처음으로 성공적으로 인쇄하는 중요한 이정표를 달성했습니다. 이 EUV 노광 시스템은 업계 최초의 High-NA EUV 스캐너로, 단일 노광으로 …
2024-08-08 14:00 | 댓글: 0개임엑스는 ASML과 협력하여 0.55 수치구경(NA)을 지원하는 트윈스캔 EXE:5000 EUV 리소그래피 툴을 이용해 업계 최초로 로직 및 DRAM 구조물을 성공적으로 패턴화했습니다. 이는 마이크로일렉트로닉스 생산에 있어 중요한 이정표를 마련한 성과로, 고해상도 패터닝 …
2024-08-07 15:41 | 댓글: 0개