NEO Semiconductor는 새로운 3D X-DRAM 셀 설계인 1T1C(1 트랜지스터-1 커패시터)와 3T0C(3 트랜지스터-0 커패시터)를 통해 DRAM 기술의 획기적인 발전을 발표했습니다. 이 설계는 모듈당 512 Gb(64 GB)의 용량을 달성할 것으로 예상되며, 이는 …

NEO Semiconductor는 AI GPU 가속기에 사용되는 기존 고대역 메모리(HBM) 칩을 대체하기 위해 3D X-AI 칩 기술 개발을 발표했습니다. 이 혁신적인 3D DRAM 기술에는 AI 처리 기능이 내장되어 있어, 기존의 수학 …