태그: memory technology

SK 하이닉스는 수직 채널 트랜지스터(VCT) 기술을 적용한 새로운 3D DRAM 기술을 통해 생산 비용을 절반으로 줄일 수 있다고 발표했습니다. 이는 주로 극자외선(EUV) 리소그래피 공정 도입에 힘입은 것으로 보입니다. 이러한 진보는 …

2024-08-16 17:44 | 댓글: 0개

MSI는 데스크톱 PC용 CAMM2 DDR5 메모리 모듈 출시를 앞두고 그 장점들을 강조했습니다. CAMM2는 JEDEC에서 공식 인증받은 메모리 규격으로, 단일 모듈에서 듀얼 채널 동작을 지원하여 지연 시간을 줄이고 속도를 높입니다. CAMM2 …

2024-08-16 07:30 | 댓글: 0개

SK하이닉스는 자사의 차세대 3D DRAM 기술이 EUV(극자외선 리소그래피) 공정 비용을 절반 수준으로 낮출 수 있다고 발표했습니다. 이는 서재욱 연구원이 한 컨퍼런스에서 밝힌 내용으로, DRAM 제조업체들이 10나노급 6세대 DRAM(1c DRAM)으로 전환하면서 …

2024-08-16 06:44 | 댓글: 0개

삼성전자가 업계 최초로 12GB와 16GB 용량의 초박형 LPDDR5X 메모리 모듈을 양산한다고 발표했습니다. 이 새로운 설계는 기존 LPDDR5X 패키지 대비 0.06mm 더 얇아진 0.65mm 두께를 자랑하며, 이는 9% 감소한 수치입니다. 이렇게 …

2024-08-05 23:00 | 댓글: 0개

삼성전자가 세계 최薄의 LPDDR5X DRAM 패키지 양산을 시작했습니다. 이 새로운 패키지는 12GB와 16GB 용량으로 제공되며, 두께가 약 0.65mm로 기존 LPDDR5X 대비 0.06mm 더 얇습니다. 삼성은 최적화된 PCB(Printed Circuit Board)와 EMC(Epoxy …

2024-08-05 23:00 | 댓글: 0개

중국의 주요 메모리 제조업체인 창신메모리기술(CXMT)이 HBM2(고대역폭 메모리 2세대) 메모리 양산을 당초 예상보다 약 2년 앞당겨 시작했다. 이는 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 프로세서에 필수적인 HBM2 메모리 생산이 중요한 성과임을 의미한다. CXMT는 …

2024-08-04 16:37 | 댓글: 0개

SK하이닉스가 2025년 말 400층 NAND를 대량 생산할 계획을 세웠다. 이에 앞서 2025년 상반기에는 321층 NAND 양산을 시작할 예정이다. 이 기업은 데이터 저장 솔루션의 수요 증가에 대응하기 위해 더 높은 저장 …

2024-08-03 13:00 | 댓글: 0개

미네소타 대학 연구팀이 인공지능(AI) 처리에 필요한 전력 소모를 획기적으로 줄이는 혁신적인 기술을 개발했습니다. 이 기술은 AI 처리 에너지 소비를 최소 1,000배 개선할 수 있습니다. 이는 AI 컴퓨팅의 막대한 전력 요구량 …

2024-07-29 13:14 | 댓글: 0개

JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)은 차세대 저전력 DDR6(LPDDR6) 메모리의 최대 속도 목표를 14.4 GT/s 이상으로 공식적으로 설정했습니다. 이는 압축 부착식 메모리 모듈(Compression Attached Memory Modules, CAMM) 이니셔티브의 일환으로, 기존 메모리 …

2024-07-24 08:41 | 댓글: 0개