태그: memory technology

삼성의 LPDDR4X 메모리는 자동차 산업을 위해 특별히 설계되었으며, 퀄컴의 요구 사항을 충족하여 스냅드래곤 디지털 섀시에 통합될 예정입니다. 이 메모리는 인포테인먼트 시스템과 첨단 운전 보조 시스템(ADAS)에서 사용하도록 맞춤 제작되었습니다. 삼성의 자동차용 …

8/27/2024, 7:59:00 AM | 댓글: 0개

SK hynix가 10월에 HBM4 메모리를 테이프 아웃할 예정이며, 이는 NVIDIA의 차세대 루빈 AI 칩에 활용될 것입니다. HBM4는 이전 모델인 HBM3E에 비해 뛰어난 전력 효율성과 더 높은 대역폭을 제공하도록 설계되어, 고대역폭 …

8/26/2024, 11:15:00 AM | 댓글: 0개

삼성전자가 올해 말 HBM4 메모리 장치의 첫 테이프 아웃을 준비하고 있으며, 샘플링은 2025년 초에 시작될 것으로 예상됩니다. 이 회사는 HBM4 DRAM 장치에 최신 10nm급 DRAM 제조 공정을, HBM4 기본 다이에 …

8/22/2024, 7:39:00 PM | 댓글: 0개

SK하이닉스가 현재 HBM(고대역폭 메모리) 제품 대비 20~30배 성능 향상을 가능하게 하는 새로운 HBM 표준 개발 계획을 발표했습니다. 이는 SK하이닉스 이천 포럼 2024에서 류성수 부사장이 밝힌 내용으로, 회사가 경쟁력 있는 HBM …

8/21/2024, 8:00:00 AM | 댓글: 0개

ASUS가 DDR5 메모리 속도를 최대 400 MT/s까지 높일 수 있는 새로운 DRAM 기술인 'NitroPath'를 소개했습니다. 이는 주목할 만한 진전으로, 현재 DDR5 메모리 모듈의 속도가 일반적으로 약 8000 MT/s 수준인 가운데, …

8/20/2024, 2:20:00 PM | 댓글: 0개

NVIDIA가 GeForce RTX 4070 GDDR6를 출시했습니다. 이 제품은 GDDR6X 모델과 동일한 사양, 성능, 가격을 갖추고 있으며, 게이머들의 높은 수요를 충족시키기 위해 출시되었습니다. GDDR6X 메모리 칩 부족으로 인해 GDDR6 메모리로 전환되었지만, …

8/20/2024, 10:00:00 AM | 댓글: 0개

삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM4) 시장을 주도할 것으로 보인다. 삼성전자는 2024년 말까지 이 첨단 기술의 테이프아웃(설계 확정)을 마치고 2025년 말부터 양산에 돌입할 계획이다. HBM 산업이 AI 기술 발전에 힘입어 급성장하면서, 삼성전자의 …

8/19/2024, 4:25:00 PM | 댓글: 0개

SK 하이닉스는 수직 채널 트랜지스터(VCT) 기술을 적용한 새로운 3D DRAM 기술을 통해 생산 비용을 절반으로 줄일 수 있다고 발표했습니다. 이는 주로 극자외선(EUV) 리소그래피 공정 도입에 힘입은 것으로 보입니다. 이러한 진보는 …

8/16/2024, 5:44:00 PM | 댓글: 0개

MSI는 데스크톱 PC용 CAMM2 DDR5 메모리 모듈 출시를 앞두고 그 장점들을 강조했습니다. CAMM2는 JEDEC에서 공식 인증받은 메모리 규격으로, 단일 모듈에서 듀얼 채널 동작을 지원하여 지연 시간을 줄이고 속도를 높입니다. CAMM2 …

8/16/2024, 7:30:00 AM | 댓글: 0개

SK하이닉스는 자사의 차세대 3D DRAM 기술이 EUV(극자외선 리소그래피) 공정 비용을 절반 수준으로 낮출 수 있다고 발표했습니다. 이는 서재욱 연구원이 한 컨퍼런스에서 밝힌 내용으로, DRAM 제조업체들이 10나노급 6세대 DRAM(1c DRAM)으로 전환하면서 …

8/16/2024, 6:44:00 AM | 댓글: 0개

삼성전자가 업계 최초로 12GB와 16GB 용량의 초박형 LPDDR5X 메모리 모듈을 양산한다고 발표했습니다. 이 새로운 설계는 기존 LPDDR5X 패키지 대비 0.06mm 더 얇아진 0.65mm 두께를 자랑하며, 이는 9% 감소한 수치입니다. 이렇게 …

8/5/2024, 11:00:00 PM | 댓글: 0개

삼성전자가 세계 최薄의 LPDDR5X DRAM 패키지 양산을 시작했습니다. 이 새로운 패키지는 12GB와 16GB 용량으로 제공되며, 두께가 약 0.65mm로 기존 LPDDR5X 대비 0.06mm 더 얇습니다. 삼성은 최적화된 PCB(Printed Circuit Board)와 EMC(Epoxy …

8/5/2024, 11:00:00 PM | 댓글: 0개

중국의 주요 메모리 제조업체인 창신메모리기술(CXMT)이 HBM2(고대역폭 메모리 2세대) 메모리 양산을 당초 예상보다 약 2년 앞당겨 시작했다. 이는 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 프로세서에 필수적인 HBM2 메모리 생산이 중요한 성과임을 의미한다. CXMT는 …

8/4/2024, 4:37:00 PM | 댓글: 0개

SK하이닉스가 2025년 말 400층 NAND를 대량 생산할 계획을 세웠다. 이에 앞서 2025년 상반기에는 321층 NAND 양산을 시작할 예정이다. 이 기업은 데이터 저장 솔루션의 수요 증가에 대응하기 위해 더 높은 저장 …

8/3/2024, 1:00:00 PM | 댓글: 0개

미네소타 대학 연구팀이 인공지능(AI) 처리에 필요한 전력 소모를 획기적으로 줄이는 혁신적인 기술을 개발했습니다. 이 기술은 AI 처리 에너지 소비를 최소 1,000배 개선할 수 있습니다. 이는 AI 컴퓨팅의 막대한 전력 요구량 …

7/29/2024, 1:14:00 PM | 댓글: 0개

JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)은 차세대 저전력 DDR6(LPDDR6) 메모리의 최대 속도 목표를 14.4 GT/s 이상으로 공식적으로 설정했습니다. 이는 압축 부착식 메모리 모듈(Compression Attached Memory Modules, CAMM) 이니셔티브의 일환으로, 기존 메모리 …

7/24/2024, 8:41:00 AM | 댓글: 0개