JEDEC는 JESD238에 따라 HBM4(고대역폭 메모리 4) 사양을 공식 발표하였으며, 이는 AI 작업 부하, 고성능 컴퓨팅 및 고급 데이터 센터 환경의 증가하는 요구를 충족하기 위한 것입니다. 새로운 표준은 메모리 대역폭, 용량 …
2025-04-17 11:23 | 댓글: 0개Imec은 ASML과 협력하여 ASML의 Twinscan EXE:5000 EUV 노광기를 이용해 논리 회로와 DRAM 패턴을 처음으로 성공적으로 인쇄하는 중요한 이정표를 달성했습니다. 이 EUV 노광 시스템은 업계 최초의 High-NA EUV 스캐너로, 단일 노광으로 …
2024-08-08 14:00 | 댓글: 0개임엑스는 ASML과 협력하여 0.55 수치구경(NA)을 지원하는 트윈스캔 EXE:5000 EUV 리소그래피 툴을 이용해 업계 최초로 로직 및 DRAM 구조물을 성공적으로 패턴화했습니다. 이는 마이크로일렉트로닉스 생산에 있어 중요한 이정표를 마련한 성과로, 고해상도 패터닝 …
2024-08-07 15:41 | 댓글: 0개삼성전자가 업계 최초로 12GB와 16GB 용량의 초박형 LPDDR5X 메모리 모듈을 양산한다고 발표했습니다. 이 새로운 설계는 기존 LPDDR5X 패키지 대비 0.06mm 더 얇아진 0.65mm 두께를 자랑하며, 이는 9% 감소한 수치입니다. 이렇게 …
2024-08-05 23:00 | 댓글: 0개중국의 주요 메모리 제조업체인 창신메모리기술(CXMT)이 HBM2(고대역폭 메모리 2세대) 메모리 양산을 당초 예상보다 약 2년 앞당겨 시작했다. 이는 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 프로세서에 필수적인 HBM2 메모리 생산이 중요한 성과임을 의미한다. CXMT는 …
2024-08-04 16:37 | 댓글: 0개마이크론(Micron Technology)은 생산능력 확장 전략의 일환으로 대만 AUO로부터 세 개의 공장을 인수했습니다. AUO는 부진한 사업 성과와 낮은 가동률로 어려움을 겪고 있으며, 이로 인해 두 개의 공장은 2023년 8월 이후 가동이 …
2024-08-28 11:10 | 댓글: 0개SK hynix가 10월에 HBM4 메모리를 테이프 아웃할 예정이며, 이는 NVIDIA의 차세대 루빈 AI 칩에 활용될 것입니다. HBM4는 이전 모델인 HBM3E에 비해 뛰어난 전력 효율성과 더 높은 대역폭을 제공하도록 설계되어, 고대역폭 …
2024-08-26 11:15 | 댓글: 0개삼성전자가 올해 말 HBM4 메모리 장치의 첫 테이프 아웃을 준비하고 있으며, 샘플링은 2025년 초에 시작될 것으로 예상됩니다. 이 회사는 HBM4 DRAM 장치에 최신 10nm급 DRAM 제조 공정을, HBM4 기본 다이에 …
2024-08-22 19:39 | 댓글: 0개ASUS가 DDR5 메모리 속도를 최대 400 MT/s까지 높일 수 있는 새로운 DRAM 기술인 'NitroPath'를 소개했습니다. 이는 주목할 만한 진전으로, 현재 DDR5 메모리 모듈의 속도가 일반적으로 약 8000 MT/s 수준인 가운데, …
2024-08-20 14:20 | 댓글: 0개SK 하이닉스가 AI 시장의 수요 증가로 인해 고대역폭 메모리(HBM) 생산에 주력하면서, DDR5 DRAM 칩 가격을 15% ~ 20% 인상할 예정입니다. 이는 DRAM 산업이 이전의 매출 하락(저조한 소비자 수요와 높은 재고 …
2024-08-15 06:00 | 댓글: 0개대만 북부의 정전이 메모리 반도체 제조업체인 마이크론과 낭야테크놀로지에 영향을 미쳤지만, 생산 공정에 대한 중대한 차질은 없었던 것으로 확인됐다. 8월 13일 번개 발생으로 인한 정전으로 타오위안과 타이중의 마이크론 공장이 전압 강하를 …
2024-08-13 16:30 | 댓글: 0개Imec은 ASML과 협력하여 ASML의 Twinscan EXE:5000 EUV 노광기를 이용해 논리 회로와 DRAM 패턴을 처음으로 성공적으로 인쇄하는 중요한 이정표를 달성했습니다. 이 EUV 노광 시스템은 업계 최초의 High-NA EUV 스캐너로, 단일 노광으로 …
2024-08-08 14:00 | 댓글: 0개임엑스는 ASML과 협력하여 0.55 수치구경(NA)을 지원하는 트윈스캔 EXE:5000 EUV 리소그래피 툴을 이용해 업계 최초로 로직 및 DRAM 구조물을 성공적으로 패턴화했습니다. 이는 마이크로일렉트로닉스 생산에 있어 중요한 이정표를 마련한 성과로, 고해상도 패터닝 …
2024-08-07 15:41 | 댓글: 0개삼성전자는 업계 최초로 두께 0.65 mm의 세계 최박형 LPDDR5X 메모리를 선보였습니다. 이는 손톱 두께와 같은 수준입니다. 이 새로운 메모리는 4개 층의 DRAM을 적층하여 12 GB 또는 16 GB 용량을 제공하며, …
2024-08-06 13:59 | 댓글: 0개삼성전자가 업계 최초로 12GB와 16GB 용량의 초박형 LPDDR5X 메모리 모듈을 양산한다고 발표했습니다. 이 새로운 설계는 기존 LPDDR5X 패키지 대비 0.06mm 더 얇아진 0.65mm 두께를 자랑하며, 이는 9% 감소한 수치입니다. 이렇게 …
2024-08-05 23:00 | 댓글: 0개삼성전자가 세계 최薄의 LPDDR5X DRAM 패키지 양산을 시작했습니다. 이 새로운 패키지는 12GB와 16GB 용량으로 제공되며, 두께가 약 0.65mm로 기존 LPDDR5X 대비 0.06mm 더 얇습니다. 삼성은 최적화된 PCB(Printed Circuit Board)와 EMC(Epoxy …
2024-08-05 23:00 | 댓글: 0개중국의 주요 메모리 제조업체인 창신메모리기술(CXMT)이 HBM2(고대역폭 메모리 2세대) 메모리 양산을 당초 예상보다 약 2년 앞당겨 시작했다. 이는 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 프로세서에 필수적인 HBM2 메모리 생산이 중요한 성과임을 의미한다. CXMT는 …
2024-08-04 16:37 | 댓글: 0개화웨이가 향후 Kirin PC 칩에 애플 M 시리즈와 유사한 통합 메모리 아키텍처를 채택할 것이라는 루머가 있습니다. 이 아키텍처는 시스템 온 칩(SoC)과 DRAM을 단일 패키지에 통합하여, 성능 향상이 기대됩니다. 핵심 부품을 …
2024-08-03 08:31 | 댓글: 0개DRAM과 NAND 플래시 메모리에 대한 수요가 사상 최고치를 기록하고 있으며, 이는 AI 기술의 급속한 채택이 주된 요인으로 작용하고 있습니다. 이러한 수요 급증은 2024년 말까지 DRAM 매출이 약 900억 7천만 달러, …
2024-08-01 14:10 | 댓글: 0개DRAM과 NAND 플래시 산업은 2024년 크게 성장할 전망이다. DRAM 매출은 75% 증가한 907억 달러, NAND 플래시 매출은 77% 증가한 674억 달러에 이를 것으로 예상된다. 이는 주로 고매출 제품, 특히 High-Bandwidth …
2024-07-30 20:17 | 댓글: 0개