NEO Semiconductor는 새로운 3D X-DRAM 셀 설계인 1T1C(1 트랜지스터-1 커패시터)와 3T0C(3 트랜지스터-0 커패시터)를 통해 DRAM 기술의 획기적인 발전을 발표했습니다. 이 설계는 모듈당 512 Gb(64 GB)의 용량을 달성할 것으로 예상되며, 이는 …