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상하이 푸단대학교의 연구팀이 'PoX'(Phase-change Oxide)라는 혁신적인 플래시 메모리 장치를 개발하여 단 400 피코초의 기록 속도를 달성했습니다. 이 성능은 이전 기록인 초당 200만 작업을 크게 초월합니다. SRAM 및 DRAM과 같은 전통적인 …