마이크론은 HBM4 및 HBM4E 메모리 프로그램에서 중요한 발전을 발표했습니다. HBM4는 2026년에 대량 생산될 예정이며, HBM4E는 그 뒤를 따릅니다. HBM4E는 맞춤형 기본 다이를 특징으로 하여 특정 고객을 위한 성능 및 기능 향상을 위한 맞춤형 솔루션을 제공합니다. 이러한 맞춤화는 TSMC의 첨단 제조 공정을 통해 가능해지며, 더 많은 캐시와 논리 회로의 통합을 지원합니다.
HBM4E의 주요 맞춤화 요소로는 향상된 캐시, 맞춤형 인터페이스 프로토콜, 메모리 간 전송 기능, 가변 인터페이스 폭, 고급 전압 조정, 전력 게이팅, 맞춤형 오류 정정 코드(ECC) 또는 보안 알고리즘이 포함될 수 있습니다. 마이크론은 이미 여러 고객과 개발 중에 있으며, AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 네트워킹과 같은 요구가 높은 애플리케이션을 위한 맞춤형 메모리 솔루션으로의 전환을 나타냅니다.
마이크론의 HBM4는 1β(5세대 10nm급) 공정 기술로 생산된 DRAM을 활용하며, 2048비트 폭의 인터페이스와 약 6.4 GT/s의 데이터 전송 속도를 특징으로 합니다. 이 생산은 엔비디아의 베라 루빈 및 에이엠디의 인스팅트 MI400 시리즈 GPU의 출시와 전략적으로 맞물려 있습니다. 반면, 삼성과 SK 하이닉스와 같은 경쟁업체들은 HBM4 제품에 6세대 10nm급 기술을 활용할 것으로 예상됩니다.
마이크론의 기존 HBM3E 제품, 특히 12-Hi 스택은 경쟁업체의 8-Hi HBM3E 솔루션에 비해 20% 낮은 전력 소비로 우수한 성능을 보여주고 있으며, 메모리 용량은 50% 더 높습니다. 이러한 스택은 에이엠디와 엔비디아의 차세대 가속기 및 GPU에 사용될 예정이며, 메모리 시장에서 마이크론의 경쟁력을 보여줍니다.
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