키옥시아가 IEEE 국제 전자 소자 회의(IEDM)에서 산화 반도체 채널 트랜지스터 DRAM(OCTRAM)이라는 새로운 메모리 기술의 발전을 발표했습니다. 이는 20년 이상 만에 키옥시아가 DRAM 시장에 복귀하는 것으로, 소규모 DRAM 제조업체인 난야와 협력하고 있습니다.
OCTRAM은 수직 트랜지스터 설계를 특징으로 하며, 이는 에너지 소비를 크게 줄이기 위한 3D DRAM 아키텍처의 일환입니다. 연구자들은 275 Mbit(약 34 MByte) 용량의 기능성 OCTRAM 배열을 성공적으로 제작했습니다. OCTRAM에 사용된 수직 InGaZnO 트랜지스터는 '켜짐' 상태에서 높은 전류와 '꺼짐' 상태에서 낮은 전류를 최적화하여 낮은 전력 소비에 기여합니다.
새로운 3D DRAM 설계는 정사각형 4F² 레이아웃을 활용하여 전통적인 6F² 설계에 비해 메모리 밀도를 향상시키며, 2D DRAM 기술에서 밀도를 증가시키는 데 따른 문제를 해결합니다. 마이크론, 삼성, SK 하이닉스 등 업계의 다른 주요 기업들도 각자의 3D DRAM 기술을 개발 중이며, SK 하이닉스는 EUV 제조 공정과 관련된 비용을 절반으로 줄이는 것을 목표로 하고 있습니다.
전반적으로 키옥시아의 OCTRAM은 DRAM 기술에서 중요한 진전을 나타내며, 에너지 효율성과 증가된 저장 밀도로 시장에 영향을 미칠 가능성이 있습니다.
* 이 글은
computerbase.de의 기사를 요약한 것입니다. 전체 기사의 내용은
이곳에서 확인하실 수 있습니다.