미시간 대학교의 연구자들이 1,100도 화씨(600도 섭씨)를 초과하는 극한 온도에서 작동하는 혁신적인 메모리 아키텍처를 개발했습니다. 전통적인 DDR 메모리가 약 100도 섭씨에서 최적의 성능을 발휘하는 것과 달리, 이 새로운 메모리는 데이터 손실이나 열 저하 없이 최소 500도 화씨(250도 섭씨)의 온도를 견딜 수 있습니다.
이 혁신적인 설계는 배터리에서 발견되는 특성을 활용하여, 데이터는 두 개의 탄탈륨 산화물 층과 금속 탄탈륨 사이에서 음전하를 띤 산소 원자를 이동시킴으로써 저장됩니다. 이러한 산소 원자의 이동은 원하지 않는 이동을 방지하는 고체 전해질에 의해 촉진됩니다. 세 개의 백금 전극이 산소 원자를 안내하여 디지털 데이터를 나타내기 위해 그들의 이동을 제어하며, 이는 배터리의 충전 및 방전 과정과 유사합니다.
이 메모리 솔루션은 전통적인 전자 이동에 의존하는 방법과는 크게 다릅니다. 전자 이동은 온도 변화에 매우 민감하지만, 산소 원자 기반 접근 방식은 고온의 영향을 덜 받아 극한 조건에서도 안정적인 데이터 저장이 가능합니다. 연구자들은 최대 온도 한계를 명시하지 않았지만, 1,100도 화씨 이상의 온도에서도 하루 이상 정보를 유지할 수 있다고 주장합니다.
또한, 이 새로운 메모리 아키텍처는 기존의 강유전체 메모리 및 다결정 백금 전극 나노갭과 비교하여 전력 효율성이 더 높아, 고온 응용 분야에 유망한 대안이 될 것으로 기대됩니다.
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