Broadcom은 2026년 생산을 목표로 하는 새로운 3.5D XDSiP 기술을 발표했습니다. 이 기술은 차세대 XPU의 성능과 복잡성을 향상시키는 것을 목표로 하며, 6000mm² 이상의 실리콘과 12개의 고대역폭 메모리(HBM) 모듈을 통합할 수 있는 Face-to-Face 3.5D 스태킹을 최초로 구현한 점이 특징입니다. AI의 증가하는 수요에 따라 더 큰 칩으로의 전환이 필요해지면서, 여러 구성 요소의 공동 패키징이 성능 최적화를 위해 필수적입니다.
3.5D XDSiP 기술은 느려지는 논리 및 SRAM 스케일링 문제를 해결하기 위해 각 구성 요소에 최적의 공정 노드를 사용할 수 있도록 합니다. 이 접근 방식은 컴퓨트 코어를 선도적인 공정 노드에서 구축할 수 있게 하며, 다른 논리 및 인터커넥트는 서로 다른 다이에 배치할 수 있어 비용 효율성을 높이고 다중 타일 프로세서와 관련된 변형 문제를 줄입니다.
이 기술의 중요한 혁신 중 하나는 직접 고밀도 칩렛 본딩(HCB) 연결 지점으로, 이를 통해 실리콘 관통 비아(TSVs)의 필요성을 없앴습니다. 이로 인해 타일 간의 고밀도 연결이 가능해져 처리량과 설계 유연성이 향상됩니다. Broadcom은 이 기술을 활용하는 고객을 위한 다양한 설계를 제시하며 강한 시장 관심을 나타냈습니다.
아직 개발 단계에 있지만, 3.5D XDSiP 기술은 전력 제약 환경에서 AI 기능을 확장하는 데 중요한 요소로 자리 잡고 있으며, 시스템 효율성과 자원 집합을 개선할 것으로 기대됩니다. 2년 이내의 생산 일정은 이 기술이 곧 기술 분야에서 현실이 될 수 있음을 시사합니다.
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