엔비디아가 SK hynix에 차세대 HBM4 메모리 칩의 납품을 6개월 앞당겨 줄 것을 요청했습니다. 이로 인해 납품 일정이 2025년 말에서 더 이른 시기로 변경되었지만, 정확한 새로운 일정은 아직 미정입니다. 이 요청은 엔비디아가 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC)을 위한 차세대 GPU를 준비하면서 HBM4 메모리를 활용할 필요성이 커지고 있음을 나타냅니다.
SK hynix는 AI 분야의 수요 증가에 힘입어 HBM 시장에서의 입지를 강화하고 있습니다. 이 회사는 이전에 엔비디아에 현재 제품용으로 8-Hi 및 12-Hi HBM3E를 공급한 바 있습니다. 앞으로 SK hynix는 내년에 12층 HBM4 버전을 출시할 계획이며, 2026년까지 16층 변종을 목표로 하고 있습니다.
처음에 SK hynix는 HBM4 층에 1b DRAM 기술을 사용할 것을 고려했으나, 삼성의 더 발전된 1c 기술 채택으로 인해 SK hynix는 전략을 재검토하게 되었습니다. HBM4 표준은 24Gb 및 32Gb의 메모리 층을 특징으로 하며, 4-high, 8-high, 12-high 및 16-high TSV 스택의 적층 옵션을 제공하지만, 초기 모듈의 구체적인 구성은 아직 불확실합니다.
삼성과 SK hynix는 2025년 하반기에 12-high HBM4 스택의 대량 생산을 시작할 예정이며, JEDEC의 초기 표준에 따르면 이 모듈의 속도는 최대 6.4 GT/s에 이를 것으로 예상됩니다. HBM4의 기본 다이를 생산하기 위해 SK hynix는 TSMC와 협력하고 있으며, TSMC는 12FFC+(12nm급) 및 N5(5nm급) 공정 기술을 활용할 예정입니다. N5 공정은 논리 밀도와 상호 연결 피치를 향상시켜 메모리를 CPU와 GPU에 직접 통합할 수 있도록 하며, 12FFC+ 공정은 메모리-호스트 프로세서 연결을 위한 실리콘 인터포저를 사용하여 성능과 비용 효율성을 균형 있게 제공합니다.
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