SK 하이닉스가 48GB의 데이터를 저장할 수 있는 16층 고대역폭 메모리(HBM) 기술인 HBM3E를 공개했습니다. 이는 24-Gbit DRAM 다이당 3GB에 해당합니다. 새로운 32-Gbit DRAM의 도입으로 저장 용량은 최대 64GB에 이를 수 있습니다.
제조 공정은 고급 MR-MUF(대량 리플로우 몰드 언더필)를 활용하여 칩 사이에 액체를 주입해 회로를 보호하고 열 방출을 개선합니다. 16-High HBM은 12-High 제품에 비해 특정 AI 애플리케이션에서 훈련 속도가 18% 빨라지고 추론 속도가 32% 빨라지는 것으로 보고되었으나, 구체적인 처리량 수치는 공개되지 않았습니다.
SK 하이닉스는 16-High HBM3E의 성능을 시연하고 경험을 쌓기 위해 샘플 배포를 내년 초에 계획하고 있으며, 16-High 제품의 상용 출시는 HBM4의 출시와 동시에 이루어질 것으로 예상됩니다.
한편, SK 하이닉스는 이미 12-High HBM3E의 대량 생산을 시작했으며, 이는 12개의 3GB 다이를 적층하여 최대 36GB의 용량을 제공합니다. 이전 8-하이 제품과 동일한 높이를 유지하기 위해 DRAM 다이는 40% 더 얇게 제작되어야 했습니다.
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