TSMC는 미국 애리조나에 있는 새로운 반도체 제조 시설에서 대량 생산을 시작할 예정이며, 이는 미국 내 가장 진보된 제조 사이트입니다. TSMC의 미국 지사 사장인 릭 캐시디에 따르면, 애리조나에서 생산된 칩의 수율은 대만에서 생산된 것보다 4% 포인트 높습니다. 이러한 수율 개선은 TSMC가 NVIDIA와 AMD와 같은 기업에 반도체 웨이퍼를 판매할 때 비용을 절감하는 데 중요한 의미가 있습니다. 수율은 웨이퍼당 사용 가능한 칩의 비율을 의미하며, 수율이 높을수록 제조업체의 손실이 줄어듭니다.
애리조나 시설은 2025년부터 4나노미터 칩의 대량 생산을 시작할 예정이며, 이는 TSMC의 기존 5나노미터 기술의 진보된 변형입니다. 이후 TSMC는 2028년까지 3나노미터 및 2나노미터 칩을 생산할 계획입니다. 반면, TSMC의 대만 시설은 내년부터 고급 나노시트 트랜지스터 기술을 활용하여 2나노미터 대량 생산을 시작할 예정입니다. 애리조나 시설의 높은 수율은 4나노미터 칩을 고객에게 더욱 매력적으로 만들 수 있으며, 특히 고성능 컴퓨팅 분야에서 TSMC의 향후 생산 능력 확장 투자 결정에 영향을 미칠 수 있습니다.
전반적으로 TSMC의 애리조나 시설에서의 수율 및 기술 발전은 반도체 산업에서 생산 다각화 및 경쟁력을 강화하기 위한 전략적 움직임을 강조합니다.
* 이 글은
wccftech.com의 기사를 요약한 것입니다. 전체 기사의 내용은
이곳에서 확인하실 수 있습니다.