올해 IEEE 국제 전자 소자 회의(IEDM)에서 키옥시아는 새로운 메모리 기술을 공개할 예정입니다. 여기에는 나냐(Nanya)와 협력하여 개발한 새로운 형태의 3D 플래시 메모리인 OCTRAM과 저장 용량이 크게 향상된 MRAM이 포함됩니다.
산화물 반도체 채널 트랜지스터 DRAM(OCTRAM)은 주요 초점으로, 산화물 반도체를 활용한 수직 트랜지스터를 특징으로 하여 에너지 소비를 줄입니다. 키옥시아는 275 Mbit(약 34 MByte)의 용량을 가진 기능성 OCTRAM 배열을 성공적으로 생산하였으며, 이는 세계 최초의 '4F2 게이트-올-어라운드 산화물 반도체 채널 트랜지스터 DRAM'으로 기록됩니다. 더 많은 세부 사항은 12월 9일 IEDM 참석자들과 공유될 예정입니다.
자기 저항 랜덤 액세스 메모리(MRAM) 분야에서 키옥시아는 저장 용량을 크게 향상시키는 것을 목표로 하고 있습니다. 현재 MRAM은 비휘발성이며 전원이 없어도 데이터를 유지하지만, 칩 용량이 제한되어 있어 주로 항공우주 및 게임 응용 분야에서 사용되는 틈새 제품입니다. 시장 선두주자인 에버스핀(Everspin)은 최대 1 Gbit의 용량을 가진 STT-MRAM을 제공합니다. 키옥시아와 SK 하이닉스는 '크로스 포인트 MRAM(Cross-Point MRAM)'을 공동 개발하여 현재 DRAM의 한계인 32 Gbit를 초과하는 64 Gbit(8 GByte)의 저장 용량을 달성할 계획입니다. 이 발전은 20.5 나노미터의 반 피치로 이루어진 더 미세한 구조 덕분입니다. 추가적인 통찰력은 12월 10일에 발표될 예정입니다.
키옥시아는 12월 11일 플래시 메모리의 핵심 분야에 집중하여, 전통적인 3D NAND와 달리 셀을 수직이 아닌 수평으로 배열한 수평 채널 플래시(Horizontal Channel Flash, HCF) 설계에 대해 논의할 것입니다. 이 설계는 최소화된 2F2 셀을 활용하여 높은 비트 밀도와 낮은 비용으로 신뢰할 수 있는 대량 저장을 달성하는 것을 목표로 하고 있습니다.
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