Asus는 선택된 X870E 및 Z890 마더보드에서 RAM 속도를 최대 400 MT/s까지 향상시킬 새로운 NitroPath RAM 슬롯 디자인을 소개했습니다. 이 개선은 빈 RAM 슬롯으로 인한 유해한 전기 간섭을 줄임으로써 이루어집니다. 극한 오버클러킹 분야에서 잘 알려진 Der8auer는 이 기술을 분석하며, 고속에서 RAM 성능을 안정화할 수 있는 잠재력을 강조했습니다.
NitroPath 슬롯은 표준 DRAM 슬롯보다 약 40% 더 짧습니다. 이 높이 감소는 DIMM 핀과 연결되는 금속 접촉부도 짧아지게 하며, 디자인은 접촉부를 아래로 구부려 노출을 최소화합니다. 빈 RAM 슬롯은 안테나 역할을 할 수 있어 전기 노이즈를 발생시켜 RAM 작동을 방해하며, 특히 비어 있는 슬롯이 있는 듀얼 채널 구성에서 문제가 됩니다. 이 간섭은 서버에서 더미 RAM 스틱을 사용하여 문제를 완화할 정도로 심각합니다.
RAM의 전기 활동에 대한 시각적 분석에 따르면, NitroPath 슬롯은 평균 속도에서 신호 품질에 큰 차이를 보이지 않지만, 높은 속도에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 10,000 MT/s에서 표준 슬롯은 심각한 신호 저하를 보여 불안정성을 초래하는 반면, NitroPath 슬롯은 안정적인 성능을 나타내는 가시적인 신호 '아이'를 유지합니다.
성능 이점 외에도 NitroPath 슬롯은 더 견고하게 설계되었습니다. Asus는 표준 슬롯에 비해 고정력은 57% 증가하고 측면 잠금 및 해제 힘은 20% 개선되었다고 주장합니다. 이 내구성은 DIMM을 자주 교체하여 업그레이드하거나 벤치마킹하는 게이머와 애호가들에게 특히 유리합니다.
Intel 마더보드 파트너들은 10월 10일에 Z890 보드 디자인을 공개할 예정이며, 이 디자인에는 어떤 Asus 보드가 NitroPath 슬롯을 특징으로 할 것인지에 대한 세부 정보가 포함될 것입니다.
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