SK hynix가 36GB 용량을 갖춘 새로운 12층 HBM3E 메모리의 양산을 시작했다고 발표했습니다. 이 새로운 메모리 설계는 표준 8층 메모리보다 40% 얇아 추가 두께 없이 용량을 증가시킬 수 있습니다. HBM3E 메모리의 각 층은 3GB를 담고 있어, 8층 설계에서 제공되던 24GB에 비해 50% 증가한 용량을 자랑합니다.
HBM3E 메모리는 9600 MT/s의 대역폭을 제공하며, GPU나 가속기에서 8개의 스택을 사용할 경우 1.22 TB/s의 유효 속도에 해당합니다. 이 발전은 특히 최첨단 AI 가속기를 지원하기 위해 설계되었으며, 증가된 메모리 용량 덕분에 더 큰 대형 언어 모델(LLM)을 처리할 수 있게 됩니다.
HBM3E 메모리의 샘플링은 2023년 3월에 시작되었으며, 연말까지 대량 출하가 예상됩니다. 이 메모리를 처음으로 탑재할 제품으로는 NVIDIA의 Blackwell Ultra와 AMD의 Instinct MI325X가 있으며, 최대 288GB의 HBM3E 메모리를 제공할 예정입니다. 이 개발은 AI 및 고성능 컴퓨팅 분야에서 기술 산업에 중요한 의미를 가지며, 더 빠르고 효율적인 메모리 솔루션에 대한 증가하는 수요를 충족시킵니다.
* 이 글은
videocardz.com의 기사를 요약한 것입니다. 전체 기사의 내용은
이곳에서 확인하실 수 있습니다.