SK 하이닉스가 세계 최초의 12층 HBM3E 메모리의 양산을 발표했습니다. 이 메모리는 모듈당 36GB의 용량을 제공하며, 9.6 Gbps의 속도를 달성합니다. 이 새로운 제품은 고대역폭 메모리 기술의 중요한 발전을 나타내며, 특히 AI 컴퓨팅의 증가하는 수요를 지원하기 위해 설계되었습니다.
12층 HBM3E 메모리는 이전의 8층 모델에 비해 용량이 50% 증가했으며, 두께는 동일하게 유지됩니다. 이는 각 DRAM 칩을 40% 얇게 만들고, 수직 적층을 위한 실리콘 관통 기술(Through-Silicon Via, TSV)을 활용하여 이루어졌습니다. 또한, 새로운 메모리 설계는 열 방출 성능을 10% 향상시키고, 고급 변형 제어 기술을 통해 안정성을 개선했습니다.
SK 하이닉스는 2013년 HBM 기술 도입 이후 HBM1부터 HBM3E까지 전체 HBM 라인업을 개발해온 역사를 통해 HBM 시장에서의 리더십을 강조하고 있습니다. 이 회사는 AI 메모리 솔루션의 글로벌 최고 공급자로서의 입지를 확고히 하고, AI 기업들의 증가하는 요구를 충족시키는 것을 목표로 하고 있습니다. 12층 HBM3E는 Llama 3(70B)와 같은 대형 언어 모델의 성능을 크게 향상시킬 것으로 예상되며, 방대한 양의 데이터를 신속하게 처리할 수 있게 합니다.
SK 하이닉스의 AI 인프라 부문 사장인 저스틴 킴은 AI 시대의 기술적 도전을 극복하고 메모리 솔루션에서 지속적으로 혁신하겠다는 회사의 의지를 강조했습니다.
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