삼성은 새로운 V9 QLC V-NAND의 생산을 시작했습니다. 이 제품은 성능이 향상된 대용량 SSD의 제작을 가능하게 할 것으로 기대됩니다. 이번 세대는 업계에서 가장 높은 층 수를 달성하는 이중 스택 구조의 Channel Hole Etching 기술을 포함한 여러 고급 기능을 도입했습니다. 이 혁신은 이전 세대 QLC V-NAND보다 약 86% 높은 비트 밀도를 제공합니다.
또한, Designed Mold 기술은 워드 라인의 간격을 최적화하여 데이터 유지 성능을 약 20% 향상시키고 제품 신뢰성을 높입니다. Predictive Program 기술은 쓰기 성능을 두 배로 증가시키고 데이터 입출력 속도를 60% 향상시켜 효율성에서 상당한 발전을 보여줍니다.
Low-Power Design 방법은 전압과 전력 소비를 줄여 데이터 읽기 및 쓰기 전력 소비를 각각 약 30%와 50% 감소시킵니다. 이러한 개선은 122.88TB 또는 128TB NVMe SSD를 더 빠르게 달성할 수 있는 가능성과 성능 및 비용에 대한 함의를 제기합니다.
V9 QLC V-NAND는 고객의 장치와 서버 제품에 통합될 예정이며, 특히 AI 클러스터에서 대용량 QLC SSD에 대한 수요 증가에 대응하기 위해 개발되었습니다. 이 발전은 삼성의 스토리지 시장에서의 주요 플레이어로서의 입지를 강화하며, 최근 출시된 삼성 BM1743 128TB NVMe SSD는 이러한 용량을 가능하게 하는 QLC 기술의 중요성을 강조합니다.
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