상하이 마이크로일렉트로닉스 장비(SMEE)가 극자외선(EUV) 리소그래피 기계에 대한 특허를 출원하며, 중국의 EUV 반도체 제조 능력 개발에 중요한 이정표가 되었습니다. 2023년 3월에 제출된 이 특허는 EUV 도구의 핵심 구성 요소, 특히 레이저로 생성된 플라즈마(Laser-produced Plasma, LPP) EUV 소스에 초점을 맞추고 있습니다. 이 소스는 CO2 광원을 이용해 미세한 주석 방울을 이온화하여 플라즈마를 생성하고, 13.5nm EUV 빛을 발생시킵니다. 이는 첨단 반도체 제조에 필수적입니다.
현재 ASML은 EUV 리소그래피 도구의 유일한 제조업체이며, 수출 제한으로 인해 중국 고객에게 이러한 도구를 공급하지 않고 있습니다. SMEE의 노력은 EUV 리소그래피가 7nm, 5nm 및 그 이하의 첨단 노드에서 칩을 생산하는 데 필요하기 때문에 매우 중요합니다. 현재 중국의 주요 반도체 제조업체인 SMIC는 7nm급 공정에 대해 효율성이 떨어지는 침지식 DUV 리소그래피에 의존하고 있으며, 이는 생산 효율성과 수율에 도전 과제가 되고 있습니다.
특허 출원은 SMEE가 EUV 리소그래피 도구 개발에 진전을 보이고 있음을 나타내지만, 상업적으로 유효한 시스템을 생산할 수 있는 일정은 여전히 불확실합니다. 화웨이를 포함한 다른 중국 기업들도 EUV 기술과 관련된 특허를 출원하여, 중국의 독립적인 반도체 제조 능력에 대한 광범위한 추진을 강조하고 있습니다. 만약 성공한다면, SMEE의 발전은 중국의 외국 기술 의존도를 줄이고 글로벌 반도체 시장에서의 입지를 강화할 수 있습니다.
그러나 EUV 리소그래피 도구의 복잡성은 수십 년에 걸친 기술 발전을 요구하며, SMEE가 짧은 시간 안에 유사한 돌파구를 이룰 수 있을지에 대한 의문을 제기합니다. 중국의 EUV 리소그래피 개발의 미래는 이러한 중대한 기술적 도전을 극복하는 데 달려 있습니다.
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