삼성은 1테라비트 모델을 특징으로 하고 고급 채널 홀 에칭(Channel Hole Etching) 기술을 활용한 9세대 V9 QLC NAND 플래시 메모리의 대량 생산을 시작했습니다. 이 새로운 V9 QLC는 이전 모델보다 약 86% 더 밀도가 높아 저장 용량이 크게 향상되었습니다. V9 QLC는 19.5 Gb mm²의 저장 밀도를 자랑하며, 이는 차세대 경쟁자인 YMTC의 232층 QLC보다 거의 50% 더 밀도가 높습니다. 또한 V9 QLC의 성능은 경쟁 제품보다 33% 빠르며, 작동 속도는 3.2 Gbps에 달합니다.
디자인 몰드(Designed Mold) 기술과 예측 프로그램(Predictive Program) 기술과 같은 혁신적인 기능은 데이터 유지 성능을 약 20% 개선하고 데이터 입출력 속도를 60% 향상시켰습니다. 게다가 삼성의 저전력 설계(Low-Power Design)는 데이터 읽기 시 전력 소비를 30%, 쓰기 시 50% 줄여 에너지 효율성을 높였습니다.
삼성은 이 기술을 주류 SSD, 모바일 스마트폰 UFS 스토리지, 클라우드 서비스 제공업체를 위한 서버 기반 SSD 등 다양한 제품에 통합할 계획입니다. 이러한 발전을 통해 삼성은 자사의 드라이브가 현재 시중에서 가장 높은 용량의 SSD보다 거의 50% 저렴하면서도 뛰어난 성능을 제공할 것으로 기대하고 있으며, 이는 TLC NAND 플래시를 사용하는 구형 SSD와 경쟁할 수 있을 것으로 보입니다.
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