SK hynix가 세계 최초의 6세대 10nm급 DDR5 DRAM인 '1c 공정'의 개발을 발표했습니다. 이 새로운 모듈은 10nm 리소그래피를 기반으로 하며, 회사의 첫 번째 16Gb DRAM 모듈입니다. 이전 세대에 비해 속도가 11% 향상되었고, 에너지 효율성은 9% 증가했습니다. 회사는 이 새로운 기술의 향상된 전력 효율성 덕분에 데이터 센터에서 최대 30%의 전기 절감 효과를 기대할 수 있다고 주장하고 있습니다.
성능 향상 외에도, SK hynix는 6세대 DDR5 DRAM의 생산 능력을 30% 이상 증가시켰습니다. 이 개선은 일부 EUV(극자외선) 공정에서 새로운 소재를 적용하고, 전체 EUV 호환 파이프라인을 최적화한 덕분입니다. 이를 통해 비용 효율성을 높였습니다.
DRAM 개발 부사장인 김종환은 1c 기술을 통해 고객에게 차별화된 가치를 제공하겠다는 회사의 의지를 강조했습니다. 이 기술은 성능과 비용 면에서 경쟁력을 갖추도록 설계되었습니다. SK hynix는 DRAM 시장에서의 리더십을 유지하고 AI 메모리 솔루션의 신뢰할 수 있는 공급자로 자리매김할 계획입니다.
최신 10nm DRAM 기술은 SK hynix의 메모리 제품이 더 밀집된 공정으로 전환할 때까지 경쟁력을 유지할 수 있도록 할 것입니다. 회사는 또한 향후 DRAM IC의 밀도를 크게 향상시킬 것으로 기대되는 3D DRAM 기술 개발에도 착수했지만, 이 기술은 아직 몇 년이 더 필요할 것으로 보입니다. 그동안 SK hynix는 전통적인 10nm급 DDR5 DRAM의 개발과 향상을 지속하고 있습니다.
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