SK hynix는 1c '6세대 10nm' 노드를 활용한 세계 최초의 16Gb DDR5 메모리 개발을 발표하며 메모리 공정 기술의 중요한 발전을 이뤘습니다. 이 새로운 노드는 HBM, LPDDR6, GDDR7을 포함한 다양한 메모리 제품의 성능과 효율성을 향상시킬 것으로 기대됩니다.
1c DDR5 메모리는 이전 세대에 비해 11%의 속도 향상을 제공하며, 최대 8000 MT/s의 속도를 달성합니다. 또한, 전력 효율성이 9% 이상 개선되어 데이터 센터의 전기 비용을 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 보입니다. 이러한 개선은 AI 기술의 발전에 힘입어 고성능 데이터 센터에 대한 수요가 증가하는 상황에서 특히 중요합니다.
1c DDR5의 대량 생산은 올해 시작될 것으로 예상되며, 2025년에는 대량 출하가 이루어질 예정입니다. 개발 과정에서는 높은 성능으로 인정받는 1b 기술의 성공적인 플랫폼을 활용하여 원활한 전환과 잠재적인 오류를 최소화했습니다.
SK hynix의 혁신적인 접근 방식에는 새로운 소재의 채택과 극자외선(EUV) 공정의 최적화가 포함되어 있으며, 이를 통해 비용 경쟁력과 생산성이 30% 이상 향상되었습니다. 회사는 차세대 제품을 통해 차별화된 가치를 제공함으로써 DRAM 시장에서의 리더십을 유지할 계획입니다.
전반적으로 1c 노드의 도입은 DRAM 기술의 중요한 진전을 나타내며, 이전 기술적 한계를 극복하고 메모리 솔루션의 미래 발전을 위한 기반을 마련하고 있습니다.
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