삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM4) 시장을 주도할 것으로 보인다. 삼성전자는 2024년 말까지 이 첨단 기술의 테이프아웃(설계 확정)을 마치고 2025년 말부터 양산에 돌입할 계획이다. HBM 산업이 AI 기술 발전에 힘입어 급성장하면서, 삼성전자의 HBM4 메모리는 SK hynix 제품과 직접 경쟁하게 될 것으로 예상된다.
테이프아웃 단계는 삼성전자가 HBM4의 설계와 생산 방식을 마무리하고 있음을 의미하며, 제품 샘플링이 곧 이뤄질 것으로 보인다. 주요 고객에는 NVIDIA, AMD 등 IT 대기업들이 포함될 것으로 전망된다. 삼성전자의 HBM4는 논리회로와 반도체 칩을 모두 활용할 예정으로, HBM 기능의 획기적인 발전을 이룰 것으로 기대된다. 삼성전자는 자사의 4나노미터 공정과 10나노미터 6세대 1c DRAM(차세대 고성능 DRAM)을 적용할 계획이다.
SK hynix 역시 1c DRAM 기술 도입을 추진 중이어서, HBM4 시장을 둘러싼 치열한 경쟁이 예상된다. HBM4는 NVIDIA의 Rubin architecture, AMD의 MI400 제품군 등 차세대 AI 제품에 핵심적인 역할을 할 것으로 보여, 삼성전자와 SK hynix의 경쟁 구도가 HBM 시장 주도권을 좌우할 전망이다.
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