삼성전자가 내년 1분기까지 첫 High-NA EUV 노광 장비를 도입할 것으로 보여, 반도체 산업에 있어 중요한 전환점이 될 것으로 예상됩니다. 이번 도입은 인텔과 TSMC가 이미 ASML로부터 다수의 High-NA EUV 노광 장비를 확보한 데 이어 삼성전자도 뒤를 이은 것입니다. 삼성전자가 도입할 것으로 보이는 장비는 Twinscan EXE:5000입니다. 8nm 해상도와 13.5nm 파장을 구현할 수 있습니다. 이 기술은 칩 크기를 1.7배 줄이고 트랜지스터 밀도를 최대 2.9배까지 높일 수 있어, 삼성전자 반도체 생태계의 생산성 향상에 기여할 것으로 기대됩니다.
High-NA 장비 설치는 삼성전자의 화성 연구소에서 이루어질 예정이며, 2025년 말 양산 시작이 목표입니다. 다만 설치 과정에서 주요 장애 요인이 발생하지 않아야 할 것으로 보입니다. 한편, 인텔은 14A node에, TSMC는 2nm 공정에 High-NA 기술을 적용할 계획인 만큼 경쟁은 더욱 치열해질 전망입니다. 삼성전자의 구체적인 High-NA 기술 활용 계획은 아직 확인되지 않았지만, 업계 표준에 맞춰 첫 2nm 공정에 이 기술을 적용할 가능성이 크다고 합니다. 이번 기술 도입으로 주요 반도체 기업들이 첨단 노광 기술을 채택하면서 반도체 시장 성장이 가속화될 것으로 예상됩니다.
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