Kioxia는 FMS 2024에서 BiCS 8 NAND 기술을 선보였습니다. BiCS 8은 이전 세대인 BiCS 5(112층)와 BiCS 6(162층)에 비해 획기적으로 더 많은 216층을 구현했습니다. Kioxia는 내부 테스트용이었던 BiCS 7을 건너뛰고 바로 BiCS 8을 공개했습니다.
BiCS 8은 이전 세대와 동일한 4면 셀 구조를 사용하며, TLC와 QLC 두 가지 구성이 제공됩니다. 용량은 TLC와 QLC 모두 1Tbit이며, QLC의 경우 2Tbit 옵션도 있습니다.
BiCS 8의 핵심 혁신은 CMOS Bonded Array(CBA) 공정입니다. CBA 공정을 통해 CMOS 로직과 셀 어레이 웨이퍼를 독립적으로 병렬 처리할 수 있게 되었습니다. 이는 기존 방식보다 CMOS의 신뢰성을 높일 수 있습니다.
Kioxia의 BiCS 8은 Micron의 276층 G9 NAND에는 미치지 못하지만, 3200MT/s의 빠른 속도와 경쟁력 있는 비트 밀도를 제공합니다. Kioxia는 측면 스케일링과 셀 크기 축소를 통해 낮은 층 수에도 불구하고 성능을 유지할 수 있었다고 설명했습니다. CBA 공정의 혁신은 향후 NAND 제조 업계 전반에 영향을 미칠 것으로 보입니다.
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