인피니온이 갈륨 나이트라이드(GaN) 반도체를 위한 첫 300mm 웨이퍼 생산을 성공적으로 시작하며 업계에서 중요한 진전을 이루었습니다. 반면 TSMC는 GaN 생산에서 철수한다고 발표했습니다. GaN 웨이퍼는 일반적으로 GaN으로 코팅된 실리콘 웨이퍼로, 높은 에너지 효율성과 최대 주파수로 알려져 있지만, CPU와 GPU와 같은 복잡한 칩에는 적합하지 않습니다.
TSMC는 200mm 또는 150mm 웨이퍼를 사용하여 소규모 Fab 5에서 GaN 제품을 생산해왔으나, 향후 2년 내에 운영을 중단하고 GaN 라인을 매각할 계획입니다. 이러한 변화는 해당 사이트에서 고급 패키징에 집중할 가능성을 높입니다.
반면 인피니온은 300mm 웨이퍼 생산의 경제적 이점을 활용하고 있으며, 이는 기존의 200mm 공정보다 기술적으로 우수하고 효율적입니다. 더 큰 웨이퍼 직경은 웨이퍼당 2.25배 더 많은 칩을 생산할 수 있게 합니다. 인피니온은 오스트리아 빌라흐에 있는 시설에서 2025년 4분기까지 첫 샘플을 제공할 예정이며, 시장 위치를 강화하고 고객 기반을 확장하는 것을 목표로 하고 있습니다.
지난해 인피니온은 40개의 새로운 GaN 제품을 발표하며, 산업 및 자동차 응용 분야는 물론 소비자, 컴퓨팅, 통신 분야에서 GaN 전력 반도체의 성장 잠재력을 인식했습니다. 여기에는 AI 시스템을 위한 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 충전기 및 모터 제어 시스템이 포함됩니다.
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