SK하이닉스가 2025년 말 400층 NAND를 대량 생산할 계획을 세웠다. 이에 앞서 2025년 상반기에는 321층 NAND 양산을 시작할 예정이다. 이 기업은 데이터 저장 솔루션의 수요 증가에 대응하기 위해 더 높은 저장 용량을 개발하는 데 집중하고 있다.
400층 NAND 개발에는 복잡한 본딩 기술이 필요한데, SK하이닉스는 연마, 식각, 증착, 배선 등 새로운 재료와 방법을 검토 중이다. 이 공정은 셀 구조 설계와 실리콘 웨이퍼 적층 과정에서 세밀한 실행이 요구된다.
2023년 8월 선보인 321층 NAND는 기업 역사상 가장 진보된 NAND 제품이 될 것이며, 2025년 상반기에 양산될 예정이다. 삼성과 마이크론 등 경쟁사들도 이 분야에서 발전을 거듭하고 있다.
SK하이닉스는 2024년 FMS 행사에서 차세대 AI 메모리 제품인 12층 HBM3E와 321층 NAND를 선보일 계획이다. 한편 삼성은 2030년까지 1000층 이상의 NAND를 만들고자 하고, 도시바 메모리(Kioxia)도 현재 218층 NAND를 개발 중이다.
400층 목표를 달성하기 위해 SK하이닉스는 주변 회로가 셀 아래에 있는 PUC(Peripheral Under Cell) 방식을 채택했다. 하지만 이 방식에는 추가 층으로 인한 열과 압력 증가로 회로가 손상될 위험이 있다. 이를 해결하기 위해 SK하이닉스는 메모리 셀과 주변 회로를 별도의 웨이퍼에서 제작한 뒤 본딩하는 하이브리드 본딩 기술을 도입하고 있다. 이 혁신을 통해 칩 크기를 늘리지 않고도 저장 용량을 높이며, 더 컴팩트하고 저렴한 저장 솔루션을 제공할 수 있게 되었다.
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