마이크론이 새로운 HBM4 표준에 대한 샘플 칩의 가용성을 발표했습니다. 이는 SK 하이닉스에 이어 삼성보다 먼저 이루어진 것입니다. 마이크론의 HBM4는 12개의 DRAM 다이를 쌓아 총 36GB의 메모리를 제공하며, 처리량은 2TB/s에 달합니다.
SK 하이닉스는 3월 19일 HBM4 샘플 칩을 처음 발표했으며, 마이크론의 빠른 개발은 AI 데이터 센터에서 증가하는 수요를 잡기 위한 노력의 일환입니다. 마이크론의 HBM4는 1-Beta 제조 공정에서 12개의 다이를 쌓아 이전 HBM3E와 동일한 용량인 36GB를 유지합니다.
HBM4의 주요 발전은 데이터 처리량의 상당한 증가로, 메모리 인터페이스가 1,024비트에서 2,048비트로 확장되어 동일한 클럭 속도에서 처리량이 두 배로 증가했습니다. 마이크론은 HBM4 패키지가 최소 2.0TB/s에 도달할 것이라고 주장하며, 이는 HBM3E의 1.2TB/s에 비해 60% 이상의 증가를 나타냅니다.
핀당 9.2Gbit/s의 클럭 속도에서 HBM4는 잠재적으로 2.4TB/s에 도달할 수 있으며, 향후 제조 최적화를 통해 HBM4E는 핀당 10Gbit/s에 도달하여 스택당 2.5TB/s를 달성할 것으로 예상됩니다.
삼성은 2025년 3분기에 HBM4 메모리 샘플을 계획하고 있으며, 올해 말 대량 생산이 시작될 것으로 예상됩니다. 삼성은 마이크론의 1-Beta 공정보다 한 단계 발전된 1c-DRAM 기술을 활용할 예정입니다.
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