SK hynix가 혁신적인 321층 4D NAND 플래시 기술을 기반으로 한 새로운 UFS 4.1 스토리지 솔루션을 공개했습니다. 이 새로운 스토리지 솔루션은 512GB 및 1TB 용량을 제공하며, 2026년 1분기 스마트폰에 출시될 예정입니다. 321층 NAND 칩은 이전 세대보다 15% 얇아져 모바일 기기 제조업체들에게 더욱 매력적이며, 낮은 전력 소비로 우수한 성능을 제공합니다.
성능 면에서 UFS 4.1 칩은 최대 4,300 MB/s의 데이터 전송 속도를 약속하며, 이는 최고의 PCIe NVMe Gen 3 SSD를 초월합니다. 그러나 이 속도는 SK hynix의 기존 238층 NAND 기반 UFS 4.1 솔루션과 동등합니다. 특히, 새로운 칩은 4세대 UFS에서 가장 빠른 순차 읽기 속도를 유지하며, 무작위 읽기 및 쓰기 속도를 각각 15% 및 40% 향상시켜 멀티태스킹 효율성에 중요한 역할을 합니다.
전력 효율성 측면에서는 이전 세대 UFS 4.1 칩보다 7% 향상된 성능을 보입니다. 새로운 IC는 두께가 1.00mm에서 0.85mm로 줄어들어 슬림한 모바일 기기에 더욱 적합합니다. SK hynix는 2024년 11월에 321층 NAND 플래시의 대량 생산을 시작했으며, UFS 4.1 기술은 2026년까지 PC에서 사용할 수 있을 것으로 예상됩니다. 삼성과 같은 경쟁업체들은 이미 400층 NAND 기술 개발에 착수하고 있습니다.
또한 SK hynix는 UFS 4.1 솔루션을 온디바이스 AI에 최적화된 제품으로 포지셔닝하여, 전체 스택 AI 메모리 제공업체로서의 위상을 강화하고 있습니다. 이 새로운 NAND 기술은 AI 애플리케이션의 안정적인 운영을 지원할 것으로 기대되며, 이를 활용하는 기기에 시장에서 경쟁 우위를 제공합니다.
321층 4D NAND 플래시는 모바일 기기뿐만 아니라 소비자 및 데이터 센터 SSD에도 사용될 예정이며, 올해 내에 제품이 개발될 것으로 보입니다. 이러한 SSD는 SK hynix 브랜드로 출시되거나 Adata, Kingston, Solidigm과 같은 기업과의 파트너십을 통해 제공될 가능성이 높습니다.
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