NEO Semiconductor는 새로운 3D X-DRAM 셀 설계인 1T1C(1 트랜지스터-1 커패시터)와 3T0C(3 트랜지스터-0 커패시터)를 통해 DRAM 기술의 획기적인 발전을 발표했습니다. 이 설계는 모듈당 512 Gb(64 GB)의 용량을 달성할 것으로 예상되며, 이는 현재 사용 가능한 DRAM 모듈의 용량보다 최소 10배 많은 수치입니다. 회사는 2026년까지 10나노초의 읽기/쓰기 속도와 9분 이상의 유지 시간을 보여주는 개념 증명 테스트 칩을 생산할 계획입니다. 이는 DRAM 분야에서 선도적인 지표입니다.
혁신적인 1T1C 및 3T0C 셀은 3D NAND 기술과 유사한 방식으로 제조되도록 설계되어, 용량과 처리량을 향상시키면서 전력 효율성을 유지하는 스택형 구성을 가능하게 합니다. NEO는 이러한 새로운 설계의 생산을 위해 기존 3D NAND 제조 시설을 활용할 계획이며, 이는 이 첨단 메모리 기술로의 전환을 간소화할 수 있습니다.
NEO의 CEO인 앤디 쉬(Andy Hsu)는 이 혁신이 메모리 기술을 재정의하고 회사를 차세대 메모리 솔루션의 선두주자로 자리매김하게 한다고 강조했습니다. 1T1C 설계는 NEO의 이전 틈새 기술인 3D X-AI 기술에 비해 전통적인 DRAM에 대한 더 유효한 경쟁자로 여겨집니다. 그러나 회사는 SK hynix와 같은 기존 업체 및 FeRAM 기반의 DRAM+와 같은 신기술로부터 상당한 경쟁에 직면해 있습니다. 그럼에도 불구하고 512 Gb 모듈의 가능성은 메모리 기술의 미래를 재편할 수 있는 매력적인 제안입니다.
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