TSMC는 애리조나주 피닉스 근처에 위치한 세 번째 반도체 시설인 팹 21 3단계의 건설을 공식적으로 시작했습니다. 이 시설은 TSMC의 고급 N2, N2P(2nm급) 및 A16(1.6nm급) 공정 기술을 사용하여 칩을 생산할 예정이며, 완공은 2028년에서 2030년 사이로 예상됩니다.
팹 21 3단계의 개발은 TSMC에 대한 정치적 압력이 증가하는 가운데 이루어졌으며, 특히 대만 의회가 자사의 가장 진보된 제조 공정의 해외 시설 수출을 제한하는 법안을 통과시킨 이후입니다. 이 법안은 TSMC가 외국 투자를 위해 대만 정부의 승인을 받아야 한다고 규정하고 있습니다.
2028년 말까지 TSMC는 대만에서 A14 제조 공정으로 칩 생산을 시작할 계획이며, 이를 통해 미국에서 N2P, A16 및 파생 노드의 칩 생산을 합법적으로 시작할 수 있습니다. 이 시설의 건설은 TSMC가 올해 초 발표한 미국 생산 시설에 1,650억 달러를 투자하겠다는 광범위한 계획의 일환입니다.
팹 21 3단계는 여섯 개의 팹 모듈뿐만 아니라 두 개의 고급 패키징 시설과 연구개발(R&D) 센터를 포함하여 TSMC의 중요한 생산 허브가 될 것입니다. 그러나 TSMC는 이 사이트에 가장 진보된 생산 기술을 이전하는 데 어려움을 겪을 수 있으며, 이는 TSMC가 일반적으로 선진 제조 공정에 대해 프리미엄을 부과하기 때문에 수익성에 영향을 미칠 수 있습니다.
미국 상무부 장관 하워드 루트닉은 기공식에서 이 사이트를 방문하며, 기업들이 CHIPS 및 과학법에 따라 연방 반도체 자금에 접근할 수 있도록 미국 내 존재감을 강화하는 것의 중요성을 강조했습니다. 이 법안은 미국 정부가 2026년 말까지 TSMC 및 기타 기업에 자금을 제공하도록 법적으로 의무화하고 있지만, 보조금이 특정 기대치를 충족하는 것에 따라 달라질 수 있다는 징후도 있습니다.
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