인텔은 차세대 18A 제조 기술을 발표했습니다. 이는 인텔 3 제조 공정에 비해 상당한 발전을 이룬 것입니다. 18A 공정은 동일한 전압인 1.1V와 복잡도에서 25%의 성능 향상을 제공하며, 표준 Arm 코어 서브 블록의 동일한 주파수와 전압에서 36%의 전력 소비 감소를 달성합니다. 0.75V의 낮은 전압에서 작동할 때, 18A 기술은 18%의 성능 향상과 38%의 전력 사용 감소를 제공합니다. 또한, 인텔 3에 비해 면적 축소가 0.72배 개선되었습니다.
18A 기술은 게이트 올 어라운드(GAA) 리본펫(RibbonFET) 트랜지스터와 파워비아(PowerVia) 후면 전력 공급 네트워크(BSPDN)를 도입하여, 집적 회로(IC)의 전면에서 전력선을 이동시킴으로써 수직 배선 효율성을 향상시킵니다. 이 혁신은 신호 배선을 위한 공간을 더 확보할 수 있게 하여 더 컴팩트한 레이아웃에 기여합니다. 표준 셀 레이아웃 또한 상당한 개선을 이루어, 고성능 및 고밀도 라이브러리에서 셀 높이가 약 25% 감소하여 트랜지스터 밀도와 면적 효율성이 증가했습니다.
인텔은 올해 말 클라이언트 PC용 팬서 레이크(Panther Lake) 프로세서의 컴퓨트 칩렛의 대량 생산을 시작할 예정이며, 2026년 초에는 클리어워터 포레스트(Clearwater Forest) 데이터 센터 시스템용 칩렛을 이어서 생산할 계획입니다. 또한, 2025년 중반까지 18A 공정을 사용하는 첫 번째 제3자 설계를 테이프 아웃할 준비를 하고 있으며, 이는 애플과 엔비디아와 같은 기업들이 이 새로운 노드에서 칩을 개발하는 데 관심을 보이고 있음을 나타냅니다.
그럼에도 불구하고, TSMC의 N2(2nm급) 공정 기술이 파트너들 사이에서 더 널리 채택될 것으로 예상되며, 이는 인텔에게 경쟁적인 도전 과제가 될 것입니다. 그러나 18A 노드의 성공적인 개발과 생산 확대는 인텔의 파운드리 사업의 미래에 매우 중요하며, 경쟁력 있는 제조 기술을 생산할 수 있는 능력을 입증하는 데 목표를 두고 있습니다.
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