상하이 푸단대학교의 연구팀이 'PoX'(Phase-change Oxide)라는 혁신적인 플래시 메모리 장치를 개발하여 단 400 피코초의 기록 속도를 달성했습니다. 이 성능은 이전 기록인 초당 200만 작업을 크게 초월합니다. SRAM 및 DRAM과 같은 전통적인 메모리 유형은 쓰기 시간(1~10 나노초) 면에서는 더 빠르지만, 전원이 꺼지면 데이터가 소실되는 휘발성 메모리입니다. 반면, PoX는 비휘발성으로 전원이 꺼져도 데이터를 유지하며, 일반적인 플래시 메모리와 유사한 마이크로초에서 밀리초 속도로 작동합니다.
PoX의 혁신적인 설계는 전통적인 실리콘 대신 이차원 디락 그래핀을 사용하여 빠른 전하 이동을 가능하게 합니다. 연구팀은 또한 메모리 채널의 가우시안 길이를 최적화하여 2D 슈퍼 주입이라는 현상을 만들어내어 저장층으로의 전하 흐름을 매우 빠르게 촉진했습니다. 이 발전은 AI 하드웨어의 메모리 병목 현상을 해결할 수 있는 잠재력을 가지고 있으며, 메모리 기술의 중요한 도약이 될 것입니다. 연구팀은 소규모의 완전 기능 칩을 성공적으로 제작하였으며, 향후 스마트폰과 컴퓨터에 통합할 계획입니다.
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