TSMC는 미국에서 N2(2nm급) 칩의 30%를 생산할 계획을 발표하며, 애리조나주 피닉스에 Fab 21을 주요 반도체 제조 허브로 설립합니다. 이 조치는 독립적인 반도체 제조 클러스터를 형성하고, 규모의 경제를 강화하며, 미국 내 완전한 공급망 생태계를 조성하는 것을 목표로 합니다.
이를 위해 TSMC는 Fab 21에 두 개의 추가 모듈을 건설할 예정이며, 대만에 있는 기존 시설과 보완하여 TSMC의 고급 칩 대부분을 계속 생산할 것입니다. 현재 Fab 21의 모듈 1은 N4 및 N5 공정 기술을 사용하여 생산을 확대하고 있으며, N3 생산이 가능한 모듈 2는 예정보다 앞서 운영을 시작할 예정으로, 2028년 초까지 대량 생산을 목표로 하고 있습니다.
향후 모듈(3 및 4)은 N2 및 A16 노드에 집중할 예정이며, 건설은 올해 말에 허가 승인이 조건으로 시작될 것으로 예상됩니다. TSMC의 Fab 21에 대한 장기 비전은 월 최소 100,000 웨이퍼 스타트를 생산할 수 있는 GigaFab 클러스터로 발전시키는 것이지만, 이 확장의 일정은 아직 불확실합니다. 이 확장은 스마트폰, 인공지능(AI), 고성능 컴퓨팅(HPC) 등 선도 고객의 수요를 충족하기 위해 설계되었습니다.
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