시장 조사에 따르면, SK 하이닉스가 삼성의 33년 지배를 끝내고 처음으로 최대 DRAM 제조업체로 자리 잡았습니다. 이 변화는 SK 하이닉스의 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory, HBM) 판매에서의 우위에 기인합니다. 1992년부터 삼성은 글로벌 DRAM 시장을 선도해왔으나, 이제 국내 경쟁자가 선두에 나섰습니다. Counterpoint의 연구에 따르면, 2025년 1분기 SK 하이닉스는 매출 기준으로 36%의 시장 점유율을 차지할 것으로 예상되며, 삼성은 34%를 기록할 것으로 보입니다. Micron은 25%로 3위에 자리하고 있으며, 나머지 5%는 소규모 제조업체들이 차지하고 있습니다. SK 하이닉스가 선두를 차지할 수 있었던 것은 스택형 DRAM 다이로 구성된 HBM에 대한 수요 증가와 관련이 있으며, 이는 엔비디아의 GB200 및 AMD의 MI325X와 같은 GPU 기반 AI 가속기 카드에서 빠른 메모리로 사용됩니다. 현재 SK 하이닉스는 HBM 시장의 약 70%를 차지하고 있으며, Micron과 삼성도 이 시장에 참여하고 있습니다. 그러나 리더십 변화는 SK 하이닉스의 성장만으로 인한 것이 아니며, 삼성은 시장 점유율에서 상당한 손실을 경험했습니다. TrendForce에 따르면, 삼성의 점유율은 2024년 말 39.3%에서 현재 34%로 감소했으며, 약 5%포인트의 손실을 기록했습니다. 반면, SK 하이닉스의 점유율은 36.6%에서 36%로 소폭 감소했습니다. 가장 두드러진 성장은 소규모 제조업체들 사이에서 나타났으며, 이들의 시장 점유율은 1.6%에서 5%로 증가했습니다. 중국의 신생 기업인 ChangXin Memory Technologies는 2022년 월 70,000개의 웨이퍼 생산에서 2024년에는 200,000개로 증가하며 명확한 승자로 부상했습니다. ChangXin Memory Technologies는 2025년까지 시장의 최대 15%를 차지할 것으로 예상되며, Nanya와 Winbond와 같은 경쟁업체들을 제치고 새로운 4위 DRAM 제조업체로 자리 잡을 전망입니다.
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