일본 정부 지원을 받는 반도체 제조업체 라피두스(Rapidus)는 이달 말 2nm 공정 기술의 시험 생산을 시작할 예정이며, 대량 생산은 2027년을 목표로 하고 있습니다. 이 회사는 홋카이도 치토세에 위치한 혁신적 통합 제조(IIM) 시설에 ASML의 극자외선(EUV) 및 깊은 자외선(DUV) 리소그래피 시스템을 포함한 첨단 반도체 생산 장비를 설치하여 7월까지 첫 테스트 웨이퍼를 완성할 계획입니다. 이 이정표는 라피두스가 게이트 올 어라운드(GAA) 트랜지스터를 활용한 2nm 제조 공정을 사용하는 회로의 파일럿 생산을 시작할 가능성이 높다는 것을 나타냅니다.
라피두스의 주요 장점 중 하나는 웨이퍼 가공과 함께 작동하는 완전 자동화된 고급 패키징 능력으로, 이는 고급 패키징이 필요한 설계의 생산 주기를 크게 단축시킬 것입니다. 그러나 회사는 초기에는 반도체 웨이퍼의 파일럿 생산에 집중할 것이며, 이 단계에서는 테스트 패키징 서비스를 제공하지 않을 예정입니다.
또한, 라피두스는 세이코 엡손(Seiko Epson Corporation)의 치토세 공장에 새로운 연구 개발 센터인 라피두스 칩렛 솔루션(Rapidus Chiplet Solutions, RCS)을 설립하고 있습니다. 이 시설은 재배치층(RDL) 인터포저 구조, 3차원 패키징 방법, 복잡한 후공정 작업을 위한 조립 설계 키트(ADK), 그리고 검증된 좋은 다이(KGD) 테스트 프로세스와 같은 확장 가능한 제조 기술 개발에 집중할 것입니다. 라피두스의 CEO인 고이케 아츠요시(Dr. Atsuyoshi Koike)는 IIM 시설의 건설이 순조롭게 진행되고 있으며, 4월에 파일럿 운영이 시작될 것으로 예상되며, 2027년까지 대량 생산에 들어갈 것이라고 확인했습니다.
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