중국의 선도적인 위탁 제조업체인 SMIC가 새로운 N+3 공정으로 중요한 진전을 이루어냈으며, 이제 TSMC의 N6 공정과 비교할 수 있는 125 MTr/mm²의 트랜지스터 밀도를 달성했습니다. 이는 화웨이와 하이실리콘과 같은 기업에 매우 중요한 5nm 칩 개발의 중요한 단계입니다.
SMIC의 최근 2년간의 진전이 기대만큼 강하지는 않았지만, EUV(극자외선) 기술 없이 6nm 칩을 제조할 수 있는 능력은 주목할 만합니다. 이 공정은 여러 추가 노광 단계를 요구하여 경제성에 영향을 미칠 수 있지만, 정부 지원을 받는 기업에게는 덜 문제가 될 수 있습니다.
SMIC가 최신 EUV 노광 시스템에 접근하지 못하고 칩을 제조하는 데 직면한 도전 과제는 상당합니다. 그럼에도 불구하고 N+3 공정의 개발은 SMIC가 TSMC와 삼성과 같은 선도 제조업체와 경쟁할 수 있는 능력을 보여줍니다. 다만 N+3 공정의 실제 성능과 전력 소비는 아직 완전히 평가되지 않았습니다.
전반적으로 SMIC의 진전은 기술적 제약에도 불구하고 혁신적인 솔루션을 찾고 경쟁이 치열한 시장에서 입지를 다질 수 있는 능력을 보여줍니다.
* 이 글은
computerbase.de의 기사를 요약한 것입니다. 전체 기사의 내용은
이곳에서 확인하실 수 있습니다.