인텔이 애리조나의 제조 시설인 팹 52와 팹 62에서 18A(1.8nm급) 웨이퍼의 첫 생산을 시작하며 중요한 이정표를 달성했습니다. 이 발전은 반도체 제조 기술을 발전시키려는 회사의 노력에 있어 중요한 단계입니다.
이전에 인텔은 오리건 주의 사이트에서 18A 기술을 사용하여 웨이퍼를 처리했으며, 이는 새로운 제조 공정을 개발하는 데 중점을 두었습니다. 이 기술을 애리조나의 새로운 대량 생산 시설로 성공적으로 이전한 것은 인텔에게 주목할 만한 성과입니다.
현재 인텔은 제조 공정을 검증하기 위해 테스트 웨이퍼를 운영하고 있으며, 올해 말에 예정된 팬서 레이크(Panther Lake) 프로세서용 컴퓨트 칩렛의 대량 생산으로 전환할 계획입니다. 18A 노드는 데이터 센터를 겨냥한 제온 7(Xeon 7) 클리어워터 포레스트(Clearwater Forest) 프로세서에도 사용될 예정입니다.
18A 제조 공정은 성능을 향상시키면서 전력 소비를 줄이기 위해 설계된 혁신적인 RibbonFET 트랜지스터를 포함하고 있습니다. 또한, 이 기술은 고전력 프로세서에 일관된 전력을 공급하고 칩 내에서 신호와 전력 선을 분리하여 트랜지스터 밀도를 개선하는 backside power delivery 기능을 특징으로 합니다.
이 성과는 인텔의 혁신과 제조 우수성에 대한 의지를 강조하며, 회사는 이 이정표의 중요성을 미국에서 개발되고 생산된 세계에서 가장 작은 노드를 생산하기 위한 단계로 강조하고 있습니다.
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