매사추세츠 공과대학(MIT) 팀이 2021년 개발된 강유전체 물질을 이용해 새로운 초박형 트랜지스터를 개발했습니다. 이 트랜지스터는 나노초 단위의 급속한 스위칭 속도를 자랑하며, 현재 트랜지스터들이 보이는 수백 나노초 수준의 스위칭 속도를 크게 뛰어넘습니다. 이러한 진보는 효율적인 데이터 처리가 필수적인 고성능 컴퓨팅 및 AI 기술에 특히 중요합니다.
새로운 물질의 얇은 두께로 인해 기존 반도체에 비해 더 많은 트랜지스터를 밀집 배치할 수 있어 단위 면적당 성능과 에너지 효율이 높아집니다. 이는 현재 데이터 센터의 전력 문제를 해결하는 데 도움이 될 것으로 기대됩니다.
또한 이 새로운 트랜지스터는 눌러볼 때마다 성능이 떨어지지 않는 탁월한 내구성을 보였습니다. 현재 SSD가 1TB당 약 700TB의 쓰기 내구성을 가지는 것에 비해, 이 트랜지스터는 1억 회 스위칭 후에도 성능 저하가 없었다고 합니다. 이는 장기 보존이 가능한 아카이브용 플래시 저장장치에 적합할 것으로 보입니다.
MIT 팀은 아직 단일 트랜지스터만 제작했으며, 일상적인 기기에 이 기술을 적용하려면 해결해야 할 과제가 남아있습니다. 하지만 팀 구성원들은 이 물질의 전자공학 분야의 미래에 대해 매우 고무적으로 전망하고 있습니다. 웨이퍼 수준으로 대량 생산이 가능해진다면 이 첨단 트랜지스터의 활용이 크게 늘어날 것으로 기대됩니다.
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