키옥시아는 샌디스크와 협력하여 2025년 국제 고체 회로 회의(ISSCC)에서 10세대 3D NAND 플래시 메모리 기술을 공개했습니다. 이 새로운 플래시 메모리는 8세대 제품에 비해 최대 33%의 성능 향상을 제공하며, 비트 밀도, 인터페이스 속도 및 전력 효율성에서도 개선이 이루어졌습니다.
10세대 NAND는 CMOS 직접 결합 배열(CBA) 기술을 특징으로 하며, 이는 CMOS 웨이퍼와 셀 배열 웨이퍼를 결합하는 방식입니다. 이 기술은 8세대 제품에서도 사용되었습니다. 새로운 인터페이스 표준인 Toggle DDR6.0은 최대 4.8 Gb/s의 인상적인 NAND 인터페이스 속도를 가능하게 하며, 메모리 층이 218에서 322로 증가하여 38%의 속도 향상을 이뤘습니다.
또한, 322층 3D NAND는 비트 밀도를 59% 향상시켜, 8비트 버스 폭으로 제곱 밀리미터당 36.2 Gb의 밀도를 달성하며, 4800 MT/s의 인터페이스 속도를 지원합니다. 업데이트된 NAND는 전력 격리 저탭 종단 기술(PI-LTT)을 통합하여 입력 전력 소비를 10%, 출력 전력 소비를 34% 줄여 AI 기술의 증가하는 전력 수요에 대응하고 있습니다.
키옥시아와 샌디스크는 9세대 3D NAND 플래시 기술에 대한 통찰을 공유했지만, 구체적인 기능은 공개되지 않았습니다. 현재 10세대 NAND의 대량 생산 일정은 정해지지 않았으며, 대량 생산 및 공급이 이루어지기까지는 시간이 더 걸릴 것으로 보입니다.
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