JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)은 차세대 저전력 DDR6(LPDDR6) 메모리의 최대 속도 목표를 14.4 GT/s 이상으로 공식적으로 설정했습니다. 이는 압축 부착식 메모리 모듈(Compression Attached Memory Modules, CAMM) 이니셔티브의 일환으로, 기존 메모리 모듈보다 물리적 공간을 적게 차지하면서도 더 빠른 메모리 솔루션을 제공하는 것을 목표로 합니다. 현재 LPDDR5X 모듈의 속도는 최대 8,533 MT/s에 이르지만, LPDDR6는 10,667 MT/s에서 14,400 MT/s 범위의 속도를 달성할 것으로 기대됩니다.
CAMM 모듈은 노트북용으로 설계되어 공간 효율성을 높이고 업그레이드 가능성을 유지합니다. 이는 제조업체들이 SODIMM 모듈을 사용할지 아니면 메모리를 직접 마더보드에 납땜할지 선택해야 하는 상황에서 중요한 의미를 가집니다. JEDEC의 JC-45 위원회는 24비트 서브채널과 48비트 채널 등의 기능을 포함하는 LPDDR6 CAMM2 표준을 개발 중입니다.
LPDDR 메모리 속도의 발전은 눈부시다고 할 수 있습니다. LPDDR4가 2014년에 3,200 MT/s로 도입된 이래 LPDDR4X, LPDDR5, LPDDR5X 등의 후속 세대가 더 높은 속도를 달성했습니다. 기대되는 LPDDR6 표준은 이런 추세를 이어갈 것으로 보이며, 휴대용 기기의 메모리 성능 한계를 한 단계 더 끌어올릴 것입니다. 새로운 소켓 설계로의 산업 전환과 함께 LPDDR6가 차세대 인텔 마더보드에 도입될 수 있어, 이 선진 메모리 기술의 보편화에도 기여할 것으로 전망됩니다.
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