인텔의 18A(1.8nm급)와 TSMC의 N2(2nm급) 공정 기술 비교는 각각의 뚜렷한 강점을 드러냅니다. 인텔의 18A는 더 높은 성능을 제공할 것으로 예상되는 반면, TSMC의 N2는 더 높은 트랜지스터 밀도를 달성할 것으로 보입니다.
트랜지스터 밀도 측면에서 TSMC의 N2는 313 MTr/mm²의 고밀도(HD) 표준 셀 트랜지스터 밀도를 자랑하며, 이는 인텔의 18A(238 MTr/mm²)를 초월합니다. 참고로, 삼성의 SF2/SF3P 공정은 231 MTr/mm²의 밀도를 가지고 있습니다. 이 수치는 HD 표준 셀에만 해당하며, 고성능(HP) 또는 저전력(LP) 표준 셀에 대한 비교는 명확하지 않습니다. HD 표준 셀에서의 우위가 전체 트랜지스터 밀도에 큰 영향을 미치지 않을 수 있습니다.
성능 측면에서 TechInsights는 인텔의 18A가 TSMC의 N2와 삼성의 SF2보다 우수할 것이라고 제안하지만, 성능 비교 방법의 정확성에 대한 의문이 제기되고 있습니다. 또한 N2 기반 칩이 유사한 SF2 기반 칩보다 전력을 덜 소모할 것으로 추정되며, 인텔의 18A도 전력 효율성에서 뛰어날 것으로 예상됩니다.
생산 일정에 관해서는 인텔의 18A가 2025년 중반에 대량 생산에 들어갈 것으로 예상되는 반면, TSMC의 N2는 2025년 말에 고용량 생산을 시작할 것으로 보이며, 초기 제품은 2026년 중반에 출시되고 대량 시장 제품은 2026년 가을에 출시될 것으로 예상됩니다. 삼성의 SF2도 2025년에 HVM(고용량 제조)에 들어갈 예정이지만, 구체적인 일정은 제공되지 않았습니다.
* 이 글은
tomshardware.com의 기사를 요약한 것입니다. 전체 기사의 내용은
이곳에서 확인하실 수 있습니다.