양쯔메모리기술(Yangtze Memory Technologies Co., YMTC)이 5세대 3D NAND 메모리의 출하를 시작했습니다. 이 메모리는 총 294개의 층으로 구성되어 있으며, 그 중 232개는 활성 층입니다. 이 성과는 YMTC를 NAND 플래시 메모리 시장의 선두주자로 자리매김하게 하였으며, 미국의 제재에도 불구하고 이루어진 것입니다. 294개의 총 층 수는 현재 상용 제품 중 가장 높은 수치로, 수직 게이트 밀도에서 상당한 발전을 보여줍니다.
232개의 활성 층은 기록적인 수치는 아니지만, 경쟁사들과 일치하며, SK hynix의 321층 9세대 3D NAND가 300개 이상의 활성 층을 가진 유일한 제품입니다. 총 층 수의 증가는 수율을 향상시키고 새로운 기능을 가능하게 할 수 있습니다. YMTC의 5세대 3D TLC NAND는 20 Gb/mm²를 초과하는 비트 밀도를 달성하여 SK hynix의 제품과 유사하며, 키옥시아의 BiCS8 3D QLC NAND의 22.9 Gb/mm²보다는 약간 낮습니다.
YMTC의 3D TLC NAND 장치에서 하이브리드 본딩 기술을 사용하여 저장 밀도와 I/O 성능을 극대화하여 경쟁사보다 우수한 SSD를 가능하게 할 수 있습니다. Xtacking 4.0 아키텍처의 도입은 이러한 기능을 더욱 향상시킵니다. 특히 YMTC는 이러한 제품을 공식적으로 발표하지 않고 조용히 출시하여 미국 정부의 추가 제재 위험을 완화하는 전략을 선택하였으며, 이는 회사와 중국 반도체 산업 모두에게 중요한 이정표가 됩니다.
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